ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
Последняя цена
35 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
BUT11A
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1760038
Технические параметры
Вес, г
2.582
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
100
Корпус
to-220
Техническая документация
BUT11A datasheet , pdf
, 59 КБ