ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUL216, Транзистор NPN 800В 4A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
BUL216, Транзистор NPN 800В 4A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BUL216, Транзистор NPN 800В 4A [TO-220]
Последняя цена
83 руб.
Сравнить
Описание
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
BUL216
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1760032
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.7
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1600 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Высота
9.15мм
Длина
10.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
9 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Максимальный пост. ток коллектора
4 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Техническая документация
cd00000009-1795315 , pdf
, 241 КБ
Datasheet BUL216 , pdf
, 161 КБ
Datasheet , pdf
, 242 КБ
Datasheet BUL216 , pdf
, 241 КБ