ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJE182, NPN,80V,3A,SOT32, транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJE182, NPN,80V,3A,SOT32, транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJE182, NPN,80V,3A,SOT32, транзистор
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
MJE182
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782887
Технические параметры
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
12.5
Корпус
sot-32(to-126)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
50
Техническая документация
MJE182 , pdf
, 49 КБ