ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
350 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJE15034G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782885
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
2
Корпус
to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
30
Техническая документация
Datasheet - MJE15034 (NPN), MJE15035 (PNP) , pdf
, 73 КБ
Datasheet , pdf
, 221 КБ