Транзисторы - Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) - купить, сравнить

FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]

Производитель: Fairchild Semiconductor, FQP85N06

• Низкий заряд затвора, как правило, 86 нКл • Низкая обратная передаточная емкость, как правило, 165 пФ • Напряжение сток-исток (Vds)…

FDP55N06, Транзистор

Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP55N06

FDP55N06 - это N-канальный полевой МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный на основе планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS.…

FDN359AN, Транзистор MOSFET N-CH 30В 2.7A [SSOT-3]

Производитель: ON Semiconductor, FDN359AN

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

DMN3404L-7, МОП-транзистор, N Канал, 4.2 А, 30 В, 24 мОм, 10 В, 1.5 В

Производитель: Diodes Incorporated, DMN3404L-7

DMN3404L-7 представляет собой N-канальный МОП-транзистор с улучшенным режимом работы с литым пластиковым корпусом и паяемым матовым оловом, отож…

DMN3042L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 0,72Вт, [SOT-23]

Производитель: Diodes Incorporated, DMN3042L-7

DMN3023L-7, Диод

BSZ160N10NS3G, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]

Производитель: Infineon Technologies, BSZ160N10NS3G

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

BSC020N03LSGATMA1, Микросхема

Производитель: Infineon Technologies, BSC020N03LSGATMA1

MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8 Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальны…

BS170FTA, Транзистор 60V 150mA 5 10V,200mA 330mW 3V 1mA N Channel [SOT-23-3]

Производитель: Diodes Incorporated, BS170FTA

N-канал 60 В 0,15 мА (Ta) 330 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3

BF862,215, Транзистор, RF JFET, N CH, 20V, 25MA, [SOT-23]

Производитель: NXP Semiconductor, BF862,215

Корпус TO236