BSZ160N10NS3G, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSZ160N10NS3G

P/N

BSZ160N10NS3GATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1759810

Вес, г

0.3

Структура

n-канал

Корпус

tsdson8

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.016 ом при 20a, 10в

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Крутизна характеристики, S

BSZ160N10NS3G, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8] - характеристики, поставщики