ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF862,215, Транзистор, RF JFET, N CH, 20V, 25MA, [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BF862,215, Транзистор, RF JFET, N CH, 20V, 25MA, [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
BF862,215, Транзистор, RF JFET, N CH, 20V, 25MA, [SOT-23]
Последняя цена
76 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO236
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BF862,215
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1758846
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
n-канал
Корпус
sot23
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.025
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.3
Крутизна характеристики, S
0.045
Особенности
высокочастотные усилительные устройства
Пороговое напряжение на затворе
-1.2
Техническая документация
BF862 Datasheet , pdf
, 234 КБ