BSC020N03LSGATMA1, Микросхема, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8
Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC020N03LSGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1759714

Технические параметры

Вес, г

0.56

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Brand

Infineon

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TDSON

Width

6.35мм

Длина

5.35мм

Высота

1.1мм

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип канала

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

96 Вт

Series

OptiMOS 3

Maximum Drain Source Resistance

2,9 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

34 нКл при 4,5 В

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Техническая документация

Datasheet BSC020N03LSGATMA1 , pdf , 388 КБ

BSC020N03LSGATMA1, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация