FDN359AN, Транзистор MOSFET N-CH 30В 2.7A [SSOT-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDN359AN

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1766094

Технические параметры

Вес, г

0.05

Тип корпуса

SOT-23

Ширина

1.4мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

PowerTrench

Длина

2.92мм

Высота

0.94мм

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

480 pF @ 10 V

Тип канала

Типичное время задержки выключения

15 нс

Типичное время задержки включения

6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

5 нКл при 5 В

Техническая документация

Datasheet FDN359AN , pdf , 118 КБ
Datasheet FDN359AN , pdf , 281 КБ
Datasheet FDN359AN , pdf , 226 КБ
Datasheet FDN359AN , pdf , 215 КБ

FDN359AN, Транзистор MOSFET N-CH 30В 2.7A [SSOT-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация