PSMN2R2-30YLC,115
Производитель: Nexperia
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 30V 2.15mOhms
FF45MR12W1M1B11, Модуль, Uds 1,2кВ, Id 25А, Ifsm 50А, винтами, Press Fit
Производитель: Infineon Technologies, FF45MR12W1M1B11BOMA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFETДискретные полупроводниковые модули
FDN361BN, МОП-транзистор, N Канал, 1.4 А, 30 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.1 В
Производитель: ON Semiconductor, FDN361BN
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
IXFN220N20X3, Модуль, одиночный транзистор, Uds 200В, Id 160А, SOT227B, винтами
Производитель: Ixys Corporation, IXFN220N20X3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFETN-канал 200V 160A (Tc) 390W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B
FDMA6023PZT
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dual P-Ch, -20V PowerTrench
DAMI660N60-DCO, Модуль, одиночный транзистор, 60В, 500А, SOT227B, винтами, винтами
Производитель: DACO Semiconductor, DAMI660N60
DAMI160N200-DCO, Модуль, одиночный транзистор, 200В, 130А, SOT227B, винтами, 440Вт
Производитель: DACO Semiconductor, DAMI160N200
DAMI160N100-DCO, Модуль, одиночный транзистор, 100В, 120А, SOT227B, винтами, 380Вт
Производитель: DACO Semiconductor, DAMI160N100
DAMI500N60-DCO, Модуль, одиночный транзистор, 60В, 400А, SOT227B, винтами, винтами
