ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FF45MR12W1M1B11, Модуль, Uds 1,2кВ, Id 25А, Ifsm 50А, винтами, Press Fit - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FF45MR12W1M1B11, Модуль, Uds 1,2кВ, Id 25А, Ifsm 50А, винтами, Press F…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FF45MR12W1M1B11, Модуль, Uds 1,2кВ, Id 25А, Ifsm 50А, винтами, Press Fit
Последняя цена
8470 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET
Дискретные полупроводниковые модули
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2153710
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
22
Series
CoolSiCв„ў+ ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
FF45MR12 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
25A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V
ECCN
EAR99
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 15V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1840pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tray
Package / Case
Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 10mA
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Power - Max
20mW (Tc)
Id - непрерывный ток утечки
25 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.45 V
Вид монтажа
Screw Mount
Время нарастания
6.3 ns
Время спада
16.4 ns
Другие названия товара №
SP001726338
Категория продукта
Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация
Dual
Подкатегория
Discrete Semiconductor Modules
Размер фабричной упаковки
24
Тип продукта
Discrete Semiconductor Modules
Типичное время задержки выключения
35.2 ns
Типичное время задержки при включении
8.2 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Продукт
Power MOSFET Modules
Тип
EasyDUAL Module
Упаковка
Tray
Vf - прямое напряжение
4.6 V
Техническая документация
Datasheet FF45MR12W1M1B11BOMA1 , pdf
, 466 КБ
