ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDN361BN, МОП-транзистор, N Канал, 1.4 А, 30 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.1 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDN361BN, МОП-транзистор, N Канал, 1.4 А, 30 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.1 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDN361BN, МОП-транзистор, N Канал, 1.4 А, 30 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.1 В
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDN361BN
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2153226
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
1.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.092Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.1В
Вес, г
0.03
Соответствует Фталатам RoHS
да
Техническая документация
Datasheet FDN361BN , pdf
, 248 КБ
Datasheet FDN361BN , pdf
, 130 КБ
Datasheet FDN361BN , pdf
, 246 КБ
Datasheet FDN361BN , pdf
, 245 КБ