IRFD9220 - характеристики, поставщики

IRFD9220

Последняя цена 190 руб.

IRFD9220

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

МОП-транзистор 200V P-CH HEXFET МОП-транзистор

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2148661

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

4

Base Product Number

IRFD9220 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

560mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

4-DIP (0.300"", 7.62mm)

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 340mA, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

560 mA

Pd - рассеивание мощности

1 W

Qg - заряд затвора

15 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

Through Hole

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

IRFD

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

DIP-4

Упаковка

Tube

Производитель

Vishay

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

P

Configuration

Single Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.56

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1500@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Part Status

Active

PCB changed

4

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

DIP

Supplier Package

HVMDIP

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

340@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

15(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

15(Max)

Typical Fall Time (ns)

19

Typical Rise Time (ns)

27

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

7.3

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8.8

Automotive

No

Military

No

Package Height

3.37(Max)

Package Length

5(Max)

Package Width

6.29(Max)

Техническая документация

Datasheet IRFD9220PBF , pdf , 827 КБ
Datasheet IRFD9220PBF , pdf , 1679 КБ
Datasheet IRFD9220PBF , pdf , 1675 КБ
Datasheet IRFD9220PBF , pdf , 1678 КБ