IXFN220N20X3, Модуль, одиночный транзистор, Uds 200В, Id 160А, SOT227B, винтами, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

N-канал 200V 160A (Tc) 390W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN220N20X3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2152869

Технические параметры

Вес, г

30.01

Series

HiPerFETв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

160A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

204nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Power Dissipation (Max)

390W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 110A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFN220N20X3 , pdf , 287 КБ

IXFN220N20X3, Модуль, одиночный транзистор, Uds 200В, Id 160А, SOT227B, винтами - характеристики, поставщики

Последняя цена 4150 руб.

Техническая документация