IXTK22N100L, MOSFET, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3120 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

N-канальные силовые МОП-транзисторы, серия IXYS Linear
N-канальные силовые МОП-транзисторы, разработанные специально для линейной работы. Эти устройства имеют расширенную безопасную рабочую зону с прямым смещением (FBSOA) для повышения прочности и надежности.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTK22N100L

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1253980

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-264

Ширина

5.31 mm

Высота

26.16мм

Transistor Material

Кремний

Length

19.96mm

Brand

IXYS

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

270 nC @ 15 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

Power Dissipation (Max)

700W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 11A, 20V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264 (IXTK)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

22 A

Pd - рассеивание мощности

700 W

Qg - заряд затвора

270 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

600 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

35 ns

Время спада

50 ns

Длина

20.29 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

Линейный

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

80 ns

Типичное время задержки при включении

36 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-264-3

Тип

Linear Power MOSFET

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

22 А

Maximum Power Dissipation

700 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.13mm

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

1000 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTK22N100L , pdf , 165 КБ

IXTK22N100L, MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 3120 руб.

Техническая документация