IXTK140N20P, Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 В, 140 А, 0.018 Ом, TO-264, Through Hole, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Пакеты по международным стандартам
• Индуктивная коммутация без зажимов (UIS)
• Низкая индуктивность корпуса - Простота управления и защиты
• Простота установки
• Экономия места

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTK140N20P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1253978

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-264

Рассеиваемая Мощность

800Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

140А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.018Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

Series

PolarHTв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

140A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

Power Dissipation (Max)

800W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 70A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264 (IXTK)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 500ВµA

California Prop 65

Warning Information

Id - непрерывный ток утечки:

140 A

Pd - рассеивание мощности:

800 W

Qg - заряд затвора:

240 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

18 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

2.5 V

Вид монтажа:

Through Hole

Время нарастания:

35 ns

Время спада:

90 ns

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 175 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Производитель:

IXYS

Размер фабричной упаковки:

Серия:

IXTK140N20

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

150 ns

Типичное время задержки при включении:

30 ns

Торговая марка:

IXYS

Упаковка / блок:

TO-264-3

Упаковка:

Tube

Высота:

26.16 mm

Длина:

19.96 mm

Ширина:

5.13 mm

Техническая документация

Datasheet IXTK140N20P , pdf , 204 КБ
Datasheet IXTK140N20P , pdf , 163 КБ

IXTK140N20P, Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 В, 140 А, 0.018 Ом, TO-264, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 2210 руб.

Техническая документация