ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB60NF06T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB60NF06T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB60NF06T4
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 60 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1614989
Технические параметры
Вес, г
2.05
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
60A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
110W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
16mО© @ 30A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
STB60NF06T4 , pdf
, 399 КБ
Datasheet , pdf
, 411 КБ
