STN1NK80Z, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 16 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 5 нКл
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 250 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 16 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614859

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.224

Максимальный непрерывный ток стока

250 мА

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

16 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.5мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

22 ns

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

160 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.25

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

16000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

800

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

160@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.7@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

7.7

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.8(Max)

Package Length

6.5

Package Width

3.5

Tab

Process Technology

SuperMESH

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

4.5

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.6

Техническая документация

Datasheet , pdf , 630 КБ
Datasheet STN1NK80Z , pdf , 393 КБ

STN1NK80Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация