ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD5NM50T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD5NM50T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD5NM50T4
Последняя цена
95 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.5 А; Rси(вкл): 0.8 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 800 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1614808
Технические параметры
Вес, г
0.588
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 374 КБ