ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7504TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7504TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7504TRPBF
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: MICRO8, АБ
Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1614741
Технические параметры
Вес, г
0.122
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
1.7A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1.25W
Rds On - Drain-Source Resistance
270mО© @ 1.2A,4.5V
Transistor Polarity
2 P Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20V
Vgs - Gate-Source Voltage
700mV @ 250uA
Техническая документация
IRF7504 , pdf
, 116 КБ
Datasheet IRF7504TRPBF , pdf
, 1080 КБ