ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
Последняя цена
60 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK3067
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749685
Технические параметры
Вес, г
3.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
4200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
25
Крутизна характеристики, S
1.7
Корпус
SC-67/2-10R1B
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
2sk3067 , pdf
, 126 КБ