ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK3075(TE12L,Q)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749686
Технические параметры
Вес, г
0.08
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
20
Корпус
2-5n1a
Пороговое напряжение на затворе
2
Техническая документация
2SK3075 , pdf
, 119 КБ