ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-14…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Описание
Infineon MOSFET Tetrode с двумя затворами
Двухзатворные малошумящие высокочастотные полевые МОП-транзисторы с Tetrode от Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BF998E6327HTSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1758849
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.03
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
2
Корпус
SOT-143
Техническая документация
Infineon-BF998SERIES-DS-v01_01-en , pdf
, 91 КБ
Datasheet BF998E6327HTSA1 , pdf
, 143 КБ