ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F]
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BUZ90AF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1760056
Технические параметры
Вес, г
1.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
2 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
75
Крутизна характеристики, S
3.8
Корпус
TO-220F
Пороговое напряжение на затворе
3
Техническая документация
BUZ90A datasheet , pdf
, 183 КБ