ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
C2M0025120D, Транзистор N-SICFET 1200В 90А [TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Cree
C2M0025120D, Транзистор N-SICFET 1200В 90А [TO-247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
C2M0025120D, Транзистор N-SICFET 1200В 90А [TO-247-3]
Последняя цена
8400 руб.
Сравнить
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed
Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния C3M ™. Линейка SiC MOSFET второго поколения от энергетического подразделения Cree Wolfspeed, которые обеспечивают лучшую в отрасли плотность мощности и эффективность переключения. Эти устройства с низкой емкостью допускают более высокие частоты переключения и снижают требования к охлаждению, повышая общую эффективность работы системы.
Информация
Производитель
Cree
Артикул
C2M0025120D
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1760417
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
7.5
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное рассеяние мощности
463 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
21.1мм
Высота
5.21мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
1200 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
3.3V
Длина
16.13мм
Типичное время задержки выключения
29 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
16.13 x 21.1 x 5.21мм
Материал транзистора
SiC
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
Wolfspeed
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
161 нКл при 20 В
Типичная входная емкость при Vds
2788 пФ при 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Прямая активная межэлектродная проводимость
23.6S
Техническая документация
c2m0025120d-1795304 , pdf
, 689 КБ