ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Последняя цена
51 руб.
Сравнить
Описание
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon, полевые МОП-транзисторы с двойным питанием, объединяют два устройства HEXFET®, чтобы обеспечить компактные и экономичные коммутационные решения в конструкциях с высокой плотностью компонентов, где пространство на плате в большом почете. Доступны различные варианты упаковки, и разработчики могут выбрать конфигурацию Dual N-channel.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF7351PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772743
Технические параметры
Вес, г
0.171
Структура
2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
18
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Особенности
полевая сборка
Техническая документация
Datasheet IRF7351 , pdf
, 283 КБ