IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 120А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 100V, TO-220AB Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 180A Resistance, Rds On 0.0045ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Base Number 4110 Current, Idm Pulse 670A N-channel Gate Charge 150nC No. of Pins 3 Power Dissipation 370mW Power, Pd 370W Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 4V Voltage, Vgs th Min 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFB4110PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772899

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

120

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.0045 Ом/75А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

370

Крутизна характеристики, S

160

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

IRFb4110pbf , pdf , 718 КБ
Datasheet IRFB4110PBF , pdf , 346 КБ
Datasheet , pdf , 342 КБ

IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 120А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация