ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET, N-канал 150В 35А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET, N-канал 150В 35А [TO-220…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET, N-канал 150В 35А [TO-220AB]
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFB5615PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772920
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.039 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
144
Крутизна характеристики, S
35
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
5
Особенности
мощный полевой
Техническая документация
Datasheet IRFB5615PBF , pdf
, 281 КБ
Datasheet , pdf
, 273 КБ