ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRLD110PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773491
Технические параметры
Вес, г
0.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.54 Ом/0.6А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.3
Крутизна характеристики, S
1.3
Корпус
HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе
2
Техническая документация
IRLD110 Datasheet , pdf
, 170 КБ
Datasheet IRLD110PBF , pdf
, 1624 КБ
Datasheet , pdf
, 1628 КБ