ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTA06N120P, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 1200В, 0.6А, 34Ом [TO-263AA] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTA06N120P, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 1200В, 0.6А, 34Ом [TO-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTA06N120P, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 1200В, 0.6А, 34Ом [TO-263AA]
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 1200 В 600 мА (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTA06N120P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774078
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
32 Ом/0.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
42
Крутизна характеристики, S
0.45
Корпус
TO-263AA
Техническая документация
IXTA06N120P - IXTP06N120P , pdf
, 114 КБ
Datasheet IXTA06N120P , pdf
, 139 КБ