ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTH48N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 48А, 65мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTH48N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 48А, 65мОм [T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTH48N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 48А, 65мОм [TO-247]
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTH48N65X2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774079
Технические параметры
Вес, г
0.454
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
48A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
660W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
68mО© @ 24A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 250uA
Техническая документация
IXTH48N65X2 , pdf
, 161 КБ
Datasheet IXTH48N65X2 , pdf
, 168 КБ