MDF11N60BTH, Транзистор MOSFET N-CH 660В 11А [TO-220F], MagnaChip Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 89 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор высокого напряжения (HV)
N-канальный полевой МОП-транзистор высокого напряжения с низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой коммутационной способностью.

Информация

Производитель

MagnaChip Semiconductor

Артикул

MDF11N60BTH

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1782088

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное рассеяние мощности

49 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.93мм

Высота

16.13мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.4V

Длина

10.71мм

Типичное время задержки выключения

76 нс

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.71 x 4.93 x 16.13мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

38 нс

Производитель

MagnaChip

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

38.4 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1900 pF @ 15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Прямая активная межэлектродная проводимость

13S

Техническая документация

Datasheet MDF11N60 , pdf , 960 КБ

MDF11N60BTH, Транзистор MOSFET N-CH 660В 11А [TO-220F] - характеристики, поставщики

Последняя цена 89 руб.

Техническая документация