TK8A65W,S5X, Транзистор N-MOSFET 650В 7.8A [TO-220SIS], Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK8A65W,S5X

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1795495

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.8

Ширина

4.5 mm

Высота

15 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

7.8 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Qg - заряд затвора

16 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

530 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

20 ns

Время спада

4 ns

Длина

10 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

DTMOSIV

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

TK8A65W

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

40 ns

Торговая марка

Toshiba

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

TK8A65W_datasheet_en_20150220-1916332 , pdf , 313 КБ
Datasheet TK8A65W.S5X , pdf , 313 КБ

TK8A65W,S5X, Транзистор N-MOSFET 650В 7.8A [TO-220SIS] - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация