TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS], Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 98 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK6A65D(STA4,Q,M)

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1795493

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

3.5

Ширина

4.5 mm

Высота

15 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Qg - заряд затвора

20 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.11 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

MOSVII

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

TK6A65D

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Toshiba

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

TK6A65D_datasheet_en_20131101-1151080 , pdf , 197 КБ

TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS] - характеристики, поставщики

Последняя цена 98 руб.

Техническая документация