ON Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
Производитель: ON Semiconductor, FDMC3612 транзистор

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

FDC86244, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 150 В, 0.113 Ом, 10 В, 2.5 В
FDC86244, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 150 В, 0.113 Ом, 10 В, 2.5 В
Производитель: ON Semiconductor, FDC86244

МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

FDB3632
FDB3632
Производитель: ON Semiconductor

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБКорпус TO263

FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FDA28N50F
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 310
Крутизна характеристики, S 35
Корпус TO-3PN

МОП-транзистор 500V 28A N-Channel

FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
Производитель: ON Semiconductor, FCA20N60F
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 17
Корпус TO-3PN

N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor Fairchild добавила семейство высоковол…

BSS138W
BSS138W
Производитель: ON Semiconductor

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SC703, АБ N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semico…