BSS138W, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SC703, АБ

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162300

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.036

Максимальный непрерывный ток стока

210 мА

Максимальное рассеяние мощности

340 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.25мм

Высота

0.9мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.4V

Base Product Number

BSS138 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

210mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

38pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

340mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70 (SOT323)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

210 mA

Pd - рассеивание мощности

340 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

2мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS138W

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

36 нс

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-323-3

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Размеры

2 x 1.25 x 0.9мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

38 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

0.12S

Техническая документация

Datasheet BSS138W , pdf , 352 КБ
Datasheet BSS138W , pdf , 350 КБ
Datasheet BSS138W , pdf , 335 КБ

BSS138W - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация