ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDMC3612 транзистор
P/N
FDMC3612
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1230025
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное рассеяние мощности
35 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.3мм
Высота
0.75мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
212 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3.3мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
19 нс
Тип корпуса
Power 33
Размеры
3.3 x 3.3 x 0.75мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.4 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14.4 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
662 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В