ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA13N50CF, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQA13N50CF, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA13N50CF, Транзистор
Последняя цена
580 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 500V N-Ch C-FET (FRFET)
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FQA13N50CF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1234034
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Максимальное рассеяние мощности
218 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
20.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
130 ns
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2055 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 2029 КБ
Datasheet FQA13N50CF , pdf
, 2025 КБ