FGAF40N60SMD, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF

Производитель: ON Semiconductor, FGAF40N60SMD
Semiconductors Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF

Производитель: ON Semiconductor, FGAF20N60SMD
Semiconductors Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGAF20N60SMD, IGBT

Производитель: ON Semiconductor, FGAF20N60SMD
Semiconductors Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGA60N60UFDTU, IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-3P

Производитель: ON Semiconductor, FGA60N60UFDTU
Semiconductors Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
FGA20N120FTDTU

Производитель: ON Semiconductor
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO3P, АБКорпус TO3P
FF900R12IE4BOSA1, , PrimePACK2 , N-Channel Series IGBT Module, 900 A max, 1200 V, Screw Mount

Производитель: Infineon Technologies, FF900R12IE4BOSA1
Semiconductors Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения…
FF75R12RT4HOSA1, , 34MM Module , N-Channel Series IGBT Module, 75 A max, 1200 V, Panel Mount

Производитель: Infineon Technologies, FF75R12RT4HOSA1
Semiconductors Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения…
FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 600 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

Производитель: Infineon Technologies, FF600R12KE4EBOSA1
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и МодулиМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EAS…
FF400R12KE3HOSA1, Модуль IGBT

Производитель: Infineon Technologies, FF400R12KE3HOSA1
Semiconductors Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения…
FF300R06KE3HOSA1, , 62MM Module , N-Channel Series IGBT Module, 400 A max, 600 V, Panel Mount

Производитель: Infineon Technologies, FF300R06KE3HOSA1
Semiconductors Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения…