FGAF40N60SMD, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGAF40N60SMD

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231071

Технические параметры

Производитель

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-3PF

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Base Product Number

FGAF4 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PF

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 В

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Switching Speed

1МГц

Длина

15.7мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное рассеяние мощности

115 W

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.7мм

Число контактов

Размеры

15.7 x 3.2 x 26.7мм

Скорость переключения

1МГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

80A

Current - Collector Pulsed (Icm)

120A

Gate Charge

119nC

Power - Max

115W

Switching Energy

870ВµJ (on), 260ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

12ns/92ns

Test Condition

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Максимальная рабочая температура

+175 °C

IGBT Type

Field Stop

Ширина

3.2мм

Pd - рассеивание мощности

79 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

360

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

400 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-3PF

Серия

FGAF40N60SMD

Технология

Техническая документация

Datasheet , pdf , 509 КБ
Datasheet FGAF40N60SMD , pdf , 507 КБ

FGAF40N60SMD, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация