FF400R12KE3HOSA1, Модуль IGBT, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21050 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF400R12KE3HOSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1230450

Технические параметры

Тип монтажа

Монтаж на панель

Brand

Infineon

Package Type

AG-62MM-1

Base Product Number

FF400R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 125В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Transistor Configuration

Серия

Width

61.4мм

Channel Type

Длина

106.4мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

580 A

Максимальное рассеяние мощности

2 kW

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

30.9мм

Размеры

106.4 x 61.4 x 30.9мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

580A

Power - Max

2000W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

+ 125 C

IGBT Type

Trench Field Stop

Ширина

61.4 mm

Конфигурация

Серия

Configuration

Half Bridge

Pd - рассеивание мощности

2 kW

Вид монтажа

Chassis Mount

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.15 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

580 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Ток утечки затвор-эмиттер

400 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

62 mm

Current - Collector Cutoff (Max)

5mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

NTC Thermistor

Другие названия товара №

SP000100781 FF400R12KE3HOSA1

Продукт

IGBT Silicon Modules

Серия

IGBT3 - E3

Технология

Series

C ->

Техническая документация

Datasheet FF400R12KE3HOSA1 , pdf , 424 КБ

FF400R12KE3HOSA1, Модуль IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 21050 руб.

Техническая документация