FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 600 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31050 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF600R12KE4EBOSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1230458

Технические параметры

Base Product Number

FF600R12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C

Package

Tray

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Current - Collector (Ic) (Max)

600A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

150 C

IGBT Type

Trench Field Stop

Configuration

Half Bridge

Вес, г

0.36

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tray

Current - Collector Cutoff (Max)

5mA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

38nF @ 25V

NTC Thermistor

DC Ток Коллектора

600А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.75В

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Другие названия товара №

FF600R12KE4_E SP001500374

Series

C ->

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 604 КБ

FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 600 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 31050 руб.

Техническая документация