FGAF20N60SMD, IGBT - характеристики, поставщики

FGAF20N60SMD, IGBT

Последняя цена 290 руб.

FGAF20N60SMD, IGBT

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGAF20N60SMD

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231068

Технические параметры

Производитель

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-3PF

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-3PF

Base Product Number

FGAF2 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PF

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 В

Width

3.2мм

Height

26.7мм

Pin Count

3

Switching Speed

1МГц

Channel Type

N

Длина

15.7мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.7мм

Число контактов

3

Размеры

15.7 x 3.2 x 26.7mm

Скорость переключения

1МГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

40A

Current - Collector Pulsed (Icm)

60A

Gate Charge

64nC

Power - Max

75W

Switching Energy

452ВµJ (on), 141ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

12ns/91ns

Test Condition

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V

Тип канала

N

Reverse Recovery Time (trr)

26.7ns

Максимальная рабочая температура

+175 °C

IGBT Type

Field Stop

Ширина

3.2мм

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.9 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

40 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

360

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

400 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-3PF

Серия

FGAF20N60SMD

Технология

Si

Техническая документация

Datasheet FGAF20N60SMD , pdf , 1059 КБ
Datasheet FGAF20N60SMD , pdf , 1058 КБ