ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGW15T120FKSA1, IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGW15T120FKSA1, IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGW15T120FKSA1, IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
596 руб.
Сравнить
Описание
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGW15T120FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1561060
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Energy Rating
4.1mJ
Длина
16.13мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
1100пФ
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.21мм
Техническая документация
Datasheet IGW15T120FKSA1 , pdf
, 349 КБ