IKW40T120FKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 670 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

корпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт

IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 75 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Максимальная мощность 270 Вт, Заряд затвора 203 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1607094

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IKW40T120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Transistor Configuration

Одинарный

Energy Rating

10.4mJ

Длина

16.13мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное рассеяние мощности

270 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

2500пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

75A

Current - Collector Pulsed (Icm)

105A

Gate Charge

203nC

Power - Max

270W

Switching Energy

6.5mJ

Td (on/off) @ 25В°C

48ns/480ns

Test Condition

600V, 40A, 15Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

NPT, Trench Field Stop

Ширина

5.21мм

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

270 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

75 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

600 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IKW40T120 SP000013940

Серия

Trenchstop IGBT3

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IKW40T120FKSA1 , pdf , 511 КБ
Datasheet IKW40T120FKSA1 , pdf , 512 КБ

IKW40T120FKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 670 руб.

Техническая документация