IHW15N120R3FKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

IGBT+ DIODE, 1200V, 15A, TO247
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 254 Вт, Заряд затвора 165 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1611796

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IHW15N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Transistor Configuration

Одинарный

Energy Rating

1.25mJ

Длина

16.13мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное рассеяние мощности

254 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Скорость переключения

60кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

1165пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

30A

Current - Collector Pulsed (Icm)

45A

Gate Charge

165nC

Power - Max

254W

Switching Energy

700ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

-/300ns

Test Condition

600V, 15A, 14.6Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

IGBT Type

Trench

Ширина

5.21мм

Конфигурация

Single

Вес, г

7.978

Pd - рассеивание мощности

254 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.48 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

30 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IHW15N120R3 IHW15N12R3XK SP000521590

Серия

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1506 КБ
Datasheet IHW15N120R3FKSA1 , pdf , 2052 КБ

IHW15N120R3FKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация