Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить


Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IRG4PH20KDPBF, Транзистор
IRG4PH20KDPBF, Транзистор
Производитель: International Rectifier, IRG4PH20KDPBF

IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC

IRG4PH20KPBF, 1200В 11А 3.2В ТО247АС
IRG4PH20KPBF, 1200В 11А 3.2В ТО247АС
Производитель: International Rectifier, IRG4PH20KPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 4.3
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 11
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 93
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 22
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 23

IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, IRG4PF50WDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 900
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 51
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 150
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 204
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 71

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, IRG4PF50WPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 900
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 51
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 110
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 204
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 29

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]
IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50WPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 120
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 46

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

IRG4PC50UDPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц [TO-247AC]
IRG4PC50UDPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц [TO-247AC]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50UDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 140
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 46

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRG4PC50UPBF, IGBT 600В 55А [TO-247AC]
IRG4PC50UPBF, IGBT 600В 55А [TO-247AC]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50UPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 170
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 32

IGBT, 600V, 55A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 55A Voltage, Vce Sat Max…

IRG4PC50SPBF, IGBT 600В 41А 1кГц [TO-247]
IRG4PC50SPBF, IGBT 600В 41А 1кГц [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50SPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.36
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 70
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 650
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]
IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50KDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.2
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 52
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 150
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 104
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 63

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]
IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]
Производитель: International Rectifier, IRG4PC50FDPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6
Корпус to-247ac
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 70
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 240
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 280
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 55

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…