Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

IRG4PSC71KPBF, IGBT 600В 85А [Super247]

Производитель: International Rectifier, IRG4PSC71KPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Корпус	super-247
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	54
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	34

IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247в„ў (TO-274AA)

Сравнить

IRG4PH50UDPBF, Транзистор IGBT 1200В 45А 75кГц [ТО-247АС]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4PH50UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.7
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	45
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	47

Сравнить

IRG4PH50UPBF, 1200В 45А 75кГц [ТО-247АС]

Производитель: International Rectifier, IRG4PH50UPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.7
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	45
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	200
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	35

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

Сравнить

IRG4PH50SPBF, IGBT 1200В 57А [TO-247AC]

Производитель: International Rectifier, IRG4PH50SPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.7
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	57
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	845
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	114
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	32

Сравнить

IRG4PH50KDPBF, IGBT 1200В 45А [TO-247AC]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4PH50KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.5
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	45
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	140
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	90
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	87

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

Сравнить

IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4PH40UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.1
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	41
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	97
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	82
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	46

Сравнить

IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4PH40UPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.1
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	41
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	220
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	82
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	24

Сравнить

IRG4PH40KDPBF, 1200В 42А 2.6В [ТО-247АС]

Производитель: International Rectifier, IRG4PH40KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.4
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	96
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	50

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

Сравнить

IRG4PH30KPBF, IGBT 1200В 10А 4-20кГц [ТО-247АС]

Производитель: International Rectifier, IRG4PH30KPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	4.2
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	200
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	28

IGBT, TO-247 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 20A Voltage, Vce Sat Max 3.1V Power…

Сравнить

IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]

Производитель: International Rectifier, IRG4PH30KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	4.2
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	220
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	39

Сравнить