ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Описание
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRG4PF50WPBF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1773325
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
900
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.7
Корпус
to-247ac
Управляющее напряжение,В
6
Технология/семейство
gen4
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
51
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
110
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
204
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
29
Структура
n-канал
Крутизна характеристики, S
39
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 649 КБ