Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

IRG7PH35UD1PBF, IGBT 1200В 20А [ TO-247AC]

Производитель: International Rectifier, IRG7PH35UD1PBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.2
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	trench
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	50
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	179
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	160
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	150

Сравнить

IRG7PH30K10PBF, IGBT 1200В 33А 4-20кГц TO247AC

Производитель: International Rectifier, IRG7PH30K10PBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.35
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	trench
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	33
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	210
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	14

Сравнить

IRG7PH30K10DPBF, IGBT 1200В 30А 4-20кГЦ TO247AC

Производитель: International Rectifier, IRG7PH30K10DPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.35
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	trench
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	180
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	14

Сравнить

IRG7PG42UDPBF, Транзистор, IGBT, 1000B, 45A(при Тс 100) [TO-247AC]

Производитель: International Rectifier, IRG7PG42UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	trench
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	78
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	320
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	229
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	90
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	25

Сравнить

IRG7IC28UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт, [TO-220FP]

Производитель: Infineon Technologies, IRG7IC28UPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.7
Корпус	to-220fp
Технология/семейство	pdp trench
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	260
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	225
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	30

Сравнить

IRG4RC20FPBF, IGBT 600В 22А 5кГц DPAK, транзистор

Производитель: International Rectifier, IRG4RC20FPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	d-pak(to-252aa)
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	22
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	66
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	194
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	44
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	26

Сравнить

IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247

Производитель: International Rectifier, IRG4PSH71UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Корпус	super-247
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	99
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	250
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	46

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

Сравнить

IRG4PSH71KDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247

Производитель: International Rectifier, IRG4PSH71KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.9
Корпус	super-247
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	78
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	230
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	156
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	67

Сравнить

IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]

Производитель: International Rectifier, IRG4PSC71UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Корпус	super-247
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	245
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	90

IGBT, 600V, 85A, TO-274AA Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 85A Voltage, Vce Sat Max…

Сравнить

IRG4PSC71UPBF, IGBT 600В 85А [Super247]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4PSC71UPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Корпус	super-247
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	56
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	34

Сравнить